公开/公告号CN213751054U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-07-20
原文格式PDF
申请/专利权人 上海函传智能科技有限公司;
申请/专利号CN202022814940.8
申请日2020-11-28
分类号G06F11/22(20060101);G06F11/26(20060101);
代理机构
代理人
地址 201612 上海市松江区民强路485号1幢B区2楼202室
入库时间 2022-08-22 23:02:11
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: 半导体芯片的制造方法,半导体芯片,半导体薄膜芯片,电子管和光检测装置
机译: 一种基于芯片上引线架构的半导体器件的制造方法,半导体器件和用于在半导体器件中实现的引线框架