一种高可靠的VDMOS垂直栅场效应晶体管

摘要

本实用新型涉及半导体功率器件技术领域，尤其涉及一种高可靠的VDMOS垂直栅场效应晶体管，包括封装本体和设置在封装本体内部的VDMOS功率器件芯片，封装本体包括基岛和管脚结构，VDMOS功率器件芯片设置在基岛内部，且VDMOS功率器件芯片和管脚结构通过线路连接；基岛包括安装座和设置在安装座上的密封板，安装框架用于安装VDMOS功率器件芯片，密封板与安装座滑动连接，且安装座配合密封板能够形成封闭的腔体结构。将安装VDMOS功率器件芯片的基岛设置为由安装座和密封板构成，实现了对基岛内芯片的封装，同时便于芯片的拆装更换；封装本体的管脚设置为上管脚和下管脚两个部分，当原来使用的电路板想用同一型号的功率器件时，不需要使用新的封装本体进行重新封装。