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Micro-LED芯片结构及Micro-LED发光组件

摘要

本实用新型公开了一种Micro‑LED芯片结构及Micro‑LED发光组件。所述Micro‑LED芯片结构包括外延结构,所述外延结构包括依次设置在透光衬底上的第二半导体层、有源区和第一半导体层,该第一、第二半导体层分别与第一、第二电极配合,该第二电极分布于透光衬底周围并与透光衬底的侧壁接触,且该透光衬底远离外延结构的一侧表面为出光面。本实用新型的Micro‑LED芯片结构通过采用侧壁电极结构,可以避免因电极设置在出光面上而对LED芯片所发光的吸收,增加器件发光效率,同时还可以起到光反射的作用,从而进一步提高器件的光提取效率和亮度,并且还可以减少各芯片之间的光串扰,避免色坐标偏移,提高显示色纯度,以及,还可以使芯片尺寸得以进一步缩小,提高显示分辨率。

著录项

  • 公开/公告号CN213519957U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-06-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江苏第三代半导体研究院有限公司;

    申请/专利号CN202023213133.7

  • 发明设计人 毕文刚;王国斌;徐科;

    申请日2020-12-28

  • 分类号H01L27/15(20060101);H01L33/38(20100101);H01L33/06(20100101);

  • 代理机构32256 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人王锋

  • 地址 215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室

  • 入库时间 2022-08-22 22:22:00

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