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P波段大功率高隔离SPDT开关

摘要

本实用新型提供一种P波段大功率高隔离SPDT开关,该开关包括一个输入端和两个输出端,输入端与一个输出端之间的结构跟输入端与另一个输出端之间的结构为对称结构;输入端通过第一电感L1接地,输入端与一个输出端之间依次串联第一二极管D1、第一电容C1、第三电感L3、第五电容C5,该第一二极管D1的负极连接输入端,第一二极管D1、第一电容C1、第三电感L3、第五电容C5之间设置有多个接地子电路。本实用新型P波段大功率高隔离SPDT开关具有体积小、承受功率高、隔离高等特点。

著录项

  • 公开/公告号CN213367754U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-06-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都创吉科技有限责任公司;

    申请/专利号CN202022697543.7

  • 发明设计人 张海;彭皞;万超云;成颖;

    申请日2020-11-19

  • 分类号H03K17/74(20060101);

  • 代理机构51270 成都瑞创华盛知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人辜强

  • 地址 610041 四川省成都市成都高新区创业路16号1栋8层1号附806

  • 入库时间 2022-08-22 21:57:34

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