公开/公告号CN213185532U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-05-11
原文格式PDF
申请/专利号CN202022331884.2
申请日2020-10-19
分类号H02J3/36(20060101);H02M7/5387(20070101);
代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人孙楠
地址 100031 北京市西城区西长安街86号
入库时间 2022-08-22 21:24:27
机译: 以及一种集成电路存储器件,其包括具有写访问晶体管和单独的读取和(GLTRAM)单元的基于相同的栅极型基于横向晶闸管的随机存取存储器
机译: 具有基于定时和数据感测方法可操作为半锁存型和全锁存型的读出放大器的半导体存储器件
机译: 图2是部分由zno制成的基底的制备方法。 1,一种p型半绝缘或涂料,获得的衬底以及生产电或光电子的器件,包括