一种具有抗闩锁能力的IGBT器件

摘要

本实用新型为一种具有抗闩锁能力的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本实用新型提出通过使用分段式的N型源区和分段式的源区接触孔区，并通过调节N型源区和源区接触孔的重合区域大小来控制引入的镇流电阻大小，从而控制导通时的N型源区电势，来达到抗闩锁的目的。本实用新型提出的降低IGBT器件闩锁风险的结构，采用通过控制电子自身的流通路径来提供镇流电阻的方法，工艺简单，设备要求低，无需额外引入P型注入，并可以有效抑制闩锁的发生同时提高短路能力。