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闻永祥; 范伟宏; 顾悦吉; 刘琛; 刘慧勇;
杭州士兰集成电路有限公司技术中心 浙江杭州 310018;
绝缘栅晶体管; 短路电流特性; 栅极振荡;
机译:使用与发射器串联的栅极源短路SI耗尽模式MOSFET提高1.2-kV SI IGBT的短路能力。
机译:具有高双极增益的IGBT建模,以减轻短路期间的栅极电压振荡
机译:兆瓦级IGBT模块在短路事件下抵抗栅极振荡的鲁棒性
机译:一种解决可恢复栅极 - 发射器的新方法由于电力集成模块中的IGBT器件顶部金属拆分而短路故障
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
机译:商用1.7 kV / 1 ka IGBT功率模块短路过程中栅极电压振荡的证据
机译:用于串联堆叠的栅极关断(GTO)器件的栅极驱动电路
机译:用于控制去饱和度或短路故障的SIC和IGBT功率器件的栅极驱动控制方法
机译:用于SIC和IGBT功率器件的栅极驱动控制系统,以控制去饱和度或短路故障
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