首页> 中国专利> 高维持电压双向可控硅静电保护器件

高维持电压双向可控硅静电保护器件

摘要

本实用新型提供了一种高维持电压双向可控硅静电保护器件,包括多个单指器件,每两个单指器件之间共用阳极构成多个双指器件,多个双指器件之间共用阴极;每个单指器件包括:N型埋层、深N阱、浅N阱、第一浅P阱和第二浅P阱。浅N阱上侧设置有一个N+重掺杂区,第一浅P阱上侧设置有一个N+重掺杂区和一个P+重掺杂区,第一浅P阱和第二浅P上侧横跨设置一个P+重掺杂区;每个深N阱中靠近击穿面一侧的P+重掺杂区浮空,其余N+重掺杂区和P+重掺杂区相连,所有深N阱中相连的N+重掺杂区和P+重掺杂区依次交替作为阳极或阴极。达到了高失效电流、高维持电压、版图面积小,双向防护和器件开启速度快等特点。

著录项

  • 公开/公告号CN212010969U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2020-11-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海安导电子科技有限公司;

    申请/专利号CN202021099401.4

  • 发明设计人 茅寅松;吴岩;

    申请日2020-06-15

  • 分类号H01L27/02(20060101);

  • 代理机构31334 上海段和段律师事务所;

  • 代理人李佳俊;郭国中

  • 地址 201499 上海市奉贤区海湾镇五四支路171号14幢92室

  • 入库时间 2022-08-22 18:14:12

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号