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一种插拔式高真空蒸发源

摘要

本实用新型涉及超高真空设备领域,特别涉及一种插拔式高真空蒸发源。一种插拔式高真空蒸发源,包括插拔式底座和蒸发源主体,蒸发源主体与插拔式底座插拔式连接,蒸发源主体设置有加热机构,加热机构下端设置有测温机构,蒸发源还包括屏蔽机构,屏蔽机构开合式置于蒸发源主体进料口的上方。本实用新型插拔式结构紧凑,方便蒸发源的安装和拆卸以及源材料的装填和更换,且便于加热丝的维护,单个蒸发源均设有加热机构和屏蔽机构,可在真空腔室内部安装有多个装有不同材料的蒸发源,实现在一个基板上依次镀多种不同的材料,简化多种材料的镀膜步骤,保证镀膜质量,满足超高真空环境下样品的蒸发需求,温控范围为50℃‑600℃,便于加工及推广使用。

著录项

  • 公开/公告号CN211112190U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2020-07-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连齐维科技发展有限公司;

    申请/专利号CN201921895650.1

  • 发明设计人 郭方准;

    申请日2019-11-06

  • 分类号

  • 代理机构大连瑞博晟知识产权代理有限公司;

  • 代理人佟昆

  • 地址 116000 辽宁省大连市高新园区龙头分园龙天路27号

  • 入库时间 2022-08-22 15:33:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-28

    授权

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