公开/公告号CN211045392U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-07-17
原文格式PDF
申请/专利权人 杭州大和热磁电子有限公司;
申请/专利号CN201921994587.7
申请日2019-11-18
分类号H01L21/673(20060101);
代理机构33109 杭州杭诚专利事务所有限公司;
代理人尉伟敏
地址 310053 浙江省杭州市滨江区滨康路668号、777号
入库时间 2022-08-22 15:22:26
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-17
授权
授权
机译: 应变硅互补金属氧化物半导体,包括含硅的拉伸N型鳍式场效应晶体管和含硅的压缩P型鳍式场效应晶体管,其使用双弛豫基体制成
机译: 应变硅互补金属氧化物半导体,包括含硅的拉伸N型鳍式场效应晶体管和含硅的压缩P型鳍式场效应晶体管,其使用双弛豫基体制成
机译: 应变硅互补金属氧化物半导体,包括使用双弛豫衬底形成的含硅拉伸N型鳍式场效应晶体管和含硅压缩P型鳍式场效应晶体管