晶体管和形成晶体管以具有减小的基极电阻的方法

摘要

公开了一种晶体管结构（100），具有完全硅化的外基极以用于降低基极电阻R_t。具体而言，金属硅化物层（120）覆盖外基极（108），包括外基极的延伸于T形发射极（150）的上部（152）下方的部分。用于确保金属硅化物层（120）覆盖外基极（108）的该部分的一种示例性技术要求使发射极（150）的上部（152）成楔形。该楔形允许发射极（150）的上部（152）下方的牺牲层在处理期间被完全去除，由此暴露下面的外基极（108）并且允许硅化所需的金属层（120）沉积在其上。该金属层（120）可以例如使用高压强溅射技术来沉积，以确保外基极（108）的所有暴露表面，甚至在发射极（150）的上部（152）下方的表面，都被覆盖。