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芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片

摘要

本实用新型涉及芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片,包括设于芯片上的硅片一侧的挡片本体,所述挡片本体包括外部的环形支撑片和中间用于遮住芯片上光刻图案的遮挡部,所述中间的遮挡部与外部的环形支撑片之间通过若干条凸起的筋连接在一起。本实用新型提出的芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片,在铝蒸发时可以很好的保护芯片上的光刻图案,避免蒸上铝,省去了后续的二次光刻工艺,减少了工序成本和时间成本。

著录项

  • 公开/公告号CN210796602U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2020-06-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 襄阳赛普尔电子有限公司;

    申请/专利号CN201921616504.0

  • 发明设计人 周新华;

    申请日2019-09-26

  • 分类号

  • 代理机构上海精晟知识产权代理有限公司;

  • 代理人周琼

  • 地址 441000 湖北省襄阳市高新区佳海工业园A63、A65幢

  • 入库时间 2022-08-22 14:41:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-19

    授权

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