首页> 中国专利> 一种尺寸均一、多面体形态的碳化硅微晶的制备方法

一种尺寸均一、多面体形态的碳化硅微晶的制备方法

摘要

本发明涉及一种尺寸均一、多面体形态的碳化硅微晶的制备方法,包括以下步骤:将SiC原料放置于坩埚中,微晶沉积收集器固定于坩埚盖内侧,拧合坩埚后,置于晶体生长炉中;对晶体生长体系抽真空至<5×10

著录项

  • 公开/公告号CN103643294B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-07-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 河北同光晶体有限公司;

    申请/专利号CN201310611182.1

  • 发明设计人 陶莹;高宇;邓树军;赵梅玉;段聪;

    申请日2013-11-26

  • 分类号

  • 代理机构北京轻创知识产权代理有限公司;

  • 代理人杨立

  • 地址 071000 河北省保定市北二环5699号大学科技园6号楼B座四楼A007

  • 入库时间 2022-08-23 09:42:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-07-06

    授权

    授权

  • 2014-04-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20131126

    实质审查的生效

  • 2014-03-19

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号