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一种可控阵列式场发射X射线源装置

摘要

本实用新型公开了一种可控阵列式场发射X射线源装置,包括封装在外壳内部的场发射电子源部分、X射线源部分以及在外壳外部的测量系统。场发射电子源部分包括阵列式阴极、载有用于控制阵列式阴极发射电子密度和区域的IC芯片的PCB板、网状栅极。PCB板正面设有若干金属凸点,阵列式阴极置于网状栅极的后方并通过金属凸点与PCB板电路相连。通过金属凸点与阵列式阴极相连接,增加了阵列式阴极的散热面积,提高了散热效率,保证了场发射电子源的稳定性。

著录项

  • 公开/公告号CN210110700U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2020-02-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 常熟理工学院;

    申请/专利号CN201921457293.0

  • 发明设计人 吴大军;陈玉尧;张向;张磊;钱斌;

    申请日2019-09-04

  • 分类号

  • 代理机构南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人吴旭

  • 地址 215500 江苏省苏州市常熟市常熟理工学院(东湖校区)

  • 入库时间 2022-08-22 12:42:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-21

    授权

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