公开/公告号CN210085617U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-02-18
原文格式PDF
申请/专利权人 浙江晶盛机电股份有限公司;
申请/专利号CN201920721779.4
发明设计人 高宇;胡建荣;傅林坚;其他发明人请求不公开姓名;
申请日2019-05-20
分类号
代理机构杭州中成专利事务所有限公司;
代理人周世骏
地址 312300 浙江省绍兴市上虞区通江西路218号
入库时间 2022-08-22 12:37:29
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-02-18
授权
授权
机译: 在直拉生长的硅晶体中进行氮掺杂的方法
机译: 直拉生长硅晶体中的氧沉淀控制
机译: 直拉法生长硅晶体的方法