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一种感测结构和非易失性存储器

摘要

本公开的实施例涉及感测结构和非易失性存储器。一种感测结构包括:读出放大器核,其被配置为将测量电流与参考电流进行比较;共源共栅晶体管,其耦合到读出放大器核并且被配置为耦合到负载;开关,其耦合在共源共栅晶体管的偏置电压节点和控制端子之间;本地电容器,其具有耦合到共源共栅晶体管的控制端子的第一端子;第一晶体管,其耦合在本地电容器的第二端子和参考端子之间;以及控制电路,其耦合到第一晶体管的控制端子,该控制电路被配置为将本地电容器与参考端子断开以在共源共栅晶体管的控制端子中产生电压过冲,并且在将本地电容器与参考端子断开之后,通过调整第一晶体管的控制端子的电压来限制或减少电压过冲。

著录项

  • 公开/公告号CN210052530U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2020-02-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 意法半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN201921324397.4

  • 申请日2019-08-15

  • 分类号

  • 代理机构北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华

  • 地址 意大利阿格拉布里安扎

  • 入库时间 2022-08-22 12:31:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-11

    授权

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