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2020-01-10
授权
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机译: 本发明涉及一种掺杂有氮的类金刚石薄膜的制造方法,类金刚石薄膜和具有该类薄膜的场发射显示装置
机译: 用于功率半导体的补偿组件具有以下区域:一种导体类型的较高掺杂区在另一种类型的较弱掺杂区中靠近两个电极之一布置
机译: 包含其应用于在掺杂有至少一种导电材料的至少一种导电特性的金属的金属层中的半导体材料本体的一部分的半导体器件的制造方法和金属层,以调节半导电体的一部分中的不同活化剂原子,调节金属层并将其从外部连接到金属层。