用于深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的装置

摘要

用于深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的装置，涉及碳化硅半导体用高纯碳化硅（5N+）的深度提纯技术装备。在石英管内腔设置坩埚，在远离观察甁的石英管端通过管道连接HCl供料装置，在石英管外部设置加热层；在喷淋装置内设置填料隔置层，在喷淋装置外布置碱液循环泵，碱液循环泵的出液口和进液口分别与喷淋装置的上、下端相连通。本实用新型结构简单、操作方便，可实现去除碳化硅粉体中硼、铝、钛、铁、钒等杂质元素，达到碳化硅高纯至5～6N的目的。