公开/公告号CN209431548U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-09-24
原文格式PDF
申请/专利权人 云森威尔智能环境(深圳)有限公司;
申请/专利号CN201822028674.9
申请日2018-12-05
分类号
代理机构
代理人
地址 518000 广东省深圳市宝安区沙井街道后亭沙松路全至科技园科创大厦7层D
入库时间 2022-08-22 10:45:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-09-24
授权
授权
机译: 用于最小化硅结晶晶粒之间的边界的掩模,一种利用掩模形成多晶硅层的方法,一种包含多晶硅层的LCD以及一种制造LCD的方法
机译: 蚀刻多晶Si1-xgex层或多晶si1-xgex层和多晶si层的叠层的方法及其在微电子学中的应用
机译: 蚀刻多晶Si(1-x)Ge(x)层或多晶Si(1-x)Ge(x)层和多晶Si层的叠层的方法及其在微电子学中的应用