公开/公告号CN209312761U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-08-27
原文格式PDF
申请/专利权人 广东华冠半导体有限公司;
申请/专利号CN201821963976.9
发明设计人 林周明;
申请日2018-11-27
分类号
代理机构
代理人
地址 518116 广东省深圳市龙岗区布吉街道布澜路137号赛兔工业厂区厂房--1A、1B
入库时间 2022-08-22 10:25:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-27
授权
授权
机译: 非易失性EPROM和EEPROM或闪存EEPROM存储器,用于形成非易失性存储器的中间结构以及制造用于隧道氧化物保护的非易失性EPROM,EEPROM或闪存EEPROM存储器的方法
机译: 一种评估栅极氧化物非挥发性eprom,eeprom和flash的方法-eeprom-存储器
机译: 双级多晶硅EEPROM存储器单元及其编程方法和制造方法,集成EEPROM存储电路,EEPROM存储器单元和US编程方法