Програмування пам'яті FLASH–EEPROM мікроконтролерів AVR

摘要

Відмінною особливістю мікроконтролерів сімейства AVR є те, що в них як пам'ять програм використовується одна і та ж пам'ять FLASH–EEPROM, яка може бути різного об'єму, вільно програмуватись користувачем і знову витиратися електричним способом. Для програмування пам'яті EEPROM мають бути виконані наступні дії:1. Діждатися закінчення процесу програмування пам'яті EEPROM ( якщо вінактивний), тобто доки розряд EEWE не повернувся в стан лог. 0.2. Записати нову адресу в регістр EEAR пам'яті EEPROM (1 байт або 2 байти в разівикористання мікроконтролера АТ90С8515).3. Записати необхідний байт даних в регістр EEDR пам’яті EEPROM.4. Встановити розряд EEMWE в лог. 1.5. Впродовж наступних чотирьох періодів такту системи після установки розрядуEEMWE в розряд EEWE має бути записана лог. 1, тим самим буде запущений процеспрограмування.