一种基于SOI衬底的高压金属氧化物半导体管

摘要

本实用新型涉及晶体管技术领域，尤其涉及一种基于SOI衬底的高压金属氧化物半导体管，包括SOI衬底、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层和第三金属层；通过在面板内的栅极区域增加第三金属层作为TFT器件的顶栅，替代现有技术中单栅极TFT结构器件，将第一金属层按第一铂层、第一钛层、第二铂层和第一金层依次层叠而成；第三金属层按第三铂层、第二钛层、第四铂层和第二金层依次层叠而成；这样能够有效提高金属氧化物半导体管的可靠度，使得液晶屏幕的显示更为精确且稳定。