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公开/公告号CN208971481U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-06-11
原文格式PDF
申请/专利权人 黄山市祁门新飞电子科技发展有限公司;
申请/专利号CN201821964246.0
发明设计人 胡一波;黄伟;程德明;胡文新;鲍婕;许晶晶;
申请日2018-11-27
分类号
代理机构深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙);
代理人叶绿林
地址 245600 安徽省黄山市祁门县华扬工业园区电子产业园3幢
入库时间 2022-08-22 09:28:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-06-11
授权
机译: 包括具有控制电路的功率半导体开关的集成模块-具有用于功率晶体管电路的控制电路,该控制电路集成在包括冷却叶片的单个模块中
机译: 适用于GaN功率器件栅极驱动电路的开关自举充电电路
机译:GaN智能功率IC的集成式过热保护电路
机译:超薄屏障AlGaN / GaN异质结构:用于制造和整合GaN的功率器件和动力驱动电路的无凹陷技术
机译:用于GaN功率转换器的GaN脉宽调制集成电路
机译:GaN基过热保护电路的设计与评估
机译:基于高功率密度GaN的升压逆变器和用于汽车应用的谐振模块化多级升压转换器
机译:具有厚铜金属化特性的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管用于Ka波段应用的功率密度为8.2 W / mm
机译:用于微波功率电路设计的GaN器件的表征和建模
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管