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一种应用于手机芯片的晶体二极管

摘要

本实用新型公开了一种应用于手机芯片的晶体二极管,包括外壳,还包括设置于所述外壳上方的正极引线,设置于所述外壳下方的负极引线,与正极引线连接的铝合金半球,与铝合金半球下表面接触的P型硅层,设置在所述外壳内表壁且环绕P型硅层的N型硅环,设置在所述外壳底部的金属板,设置在金属板和P型硅层之间的N型衬底,设置在N型硅环、N型衬底和P型硅层上方的纳米管层,以及设置在所述N型硅环和P型硅层之间的N型衬底向外形成的外延层。本实用新型达到了反应灵敏、响应速度快、集成度高的效果。

著录项

  • 公开/公告号CN208753328U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2019-04-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海音特电子有限公司;

    申请/专利号CN201821713966.X

  • 发明设计人 肖南海;

    申请日2018-10-22

  • 分类号

  • 代理机构上海启核知识产权代理有限公司;

  • 代理人王仙子

  • 地址 201500 上海市金山区枫泾镇兴新路1119号二楼

  • 入库时间 2022-08-22 08:51:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-16

    授权

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