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基于应变型异质结量子点的太阳能电池装置及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于应变型异质结量子点的太阳能电池装置,同时涉及其制备方法,属于太阳能电池材料领域。该电池装置包括在掺杂硅基衬底上生长的至少二层Ge/Si量子点结构层;Ge/Si量子点结构层由含有直径2-7nm的Ge量子点的Si薄膜层构成,最内层的Si薄膜层为2-4nm,以后逐层递增;最外层的量子点结构层为填充量子点间隙的SiO

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法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-06-15

    授权

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  • 2014-10-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0725 申请日:20140714

    实质审查的生效

  • 2014-10-08

    公开

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