砷化镓激光器腔面以及砷化镓激光器

摘要

本实用新型提供一种砷化镓激光器腔面及砷化镓激光器，属于半导体激光器领域；砷化镓激光器腔面包括自下而上设置的腔面本体、阻挡层、钝化膜以及反射膜；阻挡层是由等离子体Ar+经过电场加速后轰击腔面本体，再由混合等离子体NH+经过电场加速后与腔面本体的表层发生化学反应形成的；等离子体Ar+是由高真空条件下、10‑30sccm流量的氩气在离子源的作用下形成的，其轰击腔面本体的时间为5‑20min；混合等离子体NH+是由10‑30sccm流量的氮气和氢气混合气体在离子源的作用下形成的；其与腔面本体表层发生化学反应的时间为5‑10min；钝化膜的厚度为5‑15nm，反射膜通过镀膜工艺镀制在钝化膜上；本实用新型可大幅度提升砷化镓激光器的可靠性，保证其在高功率条件下的工作稳定性，并延长寿命。