Влияние толщины активной области на характеристикиполупроводниковых лазеров на основе асимметричныхгетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs c расширенным волноводом

摘要

Исследовано влияние толщины активной области на основные характеристики мощных полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs/InGaAs,изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что пороговый ток, температурная чувствительность порогoвой плотности тока, стимулированный квантовый выход и дифференциальная квантовая эффективность улучшаются c увеличением толщины активной области. Продемонстрировано, что максимально достижимая мощность оптического излучения полупроводникового лазера и внутренний квантовый выход фотолюминесценции наиболее чувствительны к возникновению дефектов в гетероструктуре и снижаются при превышении критической толщины напряженного слоя InxCai_xAs в активной области.