法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-01
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01S5/028 申请公布日:20171020 申请日:20170613
发明专利申请公布后的驳回
2017-11-14
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/028 申请日:20170613
实质审查的生效
2017-10-20
公开
公开
机译: 在台面图案化衬底上外延生长的异质结构半导体激光器的制造方法-使用三甲基甲基镓作为源气体,在台面条纹侧面上通过电流阻挡砷化镓层的外延MOCVD生长
机译: 一种在低温下浮法生产亚烷基镓和砷化合物的砷化镓镓的方法。
机译: 砷化镓衬底上的长波长红外垂直腔面发射激光器