首页> 中国专利> 一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法

一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法

摘要

一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法,属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效改善砷化镓基半导体激光器的腔面稳定性,使砷化镓基半导体激光器的性能受到很大限制。本发明依次采用氩气、氢气、氧气、氮气或其混合气体的等离子体及含六氟化硫等离子气氛表面处理砷化镓基半导体激光器腔面,结合真空镀膜或化学气相沉积制备保护膜,然后进行激光器腔面的高反膜或减反膜镀制,形成高功率工作条件下对工作环境气氛稳定的激光器腔面。

著录项

  • 公开/公告号CN107275921A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-10-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长春理工大学;

    申请/专利号CN201710437897.8

  • 申请日2017-06-13

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 130022 吉林省长春市卫星路7186号

  • 入库时间 2023-06-19 03:33:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-01

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01S5/028 申请公布日:20171020 申请日:20170613

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2017-11-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/028 申请日:20170613

    实质审查的生效

  • 2017-10-20

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号