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公开/公告号CN207691784U
专利类型实用新型
公开/公告日2018-08-03
原文格式PDF
申请/专利权人 厦门理工学院;
申请/专利号CN201820074801.6
发明设计人 陈铖颖;尹华一;黄新栋;易璐茗;魏聪;许新愉;张琳;
申请日2018-01-17
分类号
代理机构厦门市精诚新创知识产权代理有限公司;
代理人何建华
地址 361000 福建省厦门市集美区后溪镇理工路600号
入库时间 2022-08-22 05:54:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-08-03
授权
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: 用于检测磁心电图和心电图或磁心电图和心电图的多通道信号检测装置
机译: 模拟前端电路和用于补偿模拟前端电路中的DC偏移的方法。
机译:压电和麦克风光声信号检测中的模拟前端电路
机译:用于集成式微型Si探针芯片的Si(111)CMOS信号检测电路
机译:SI(111)CMOS信号检测电路,用于集成的Micro Si探针芯片
机译:用于神经信号检测的模拟前端的电路设计
机译:ESDCat:一种新的CAD软件包,用于全芯片ESD保护电路设计验证。
机译:一种多层电路架构用于在果蝇中产生不同运动行为的多层电路架构
机译:压电和麦克风中光声信号检测的模拟前端电路
机译:用于sDC硅跟踪器的双极模拟前端集成电路。