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一种基于外部存储器和ICAP口的SRAM型FPGA抗辐射加固电路

摘要

本实用新型公开了一种基于外部存储器和ICAP口的SRAM型FPGA抗辐射加固电路,所述SRAM型FPGA抗辐射加固电路包括:至少三个外部存储器、SRAM型FPGA,所述SRAM型FPGA具有位流存储器和ICAP接口,所述SRAM型FPGA的CLB位流保存在位流存储器。本实用新型的FPGA抗辐射加固电路可以针对SRAM型FPGA进行抗辐射加固,而不需要额外的高可靠FPGA作为监控,充分利用SRAM型FPGA本身的资源,其采用ICAP口回读自身的配置存储器位流,节约接口资源,并且对外部存储器的工艺限制小,易于实现,且可以移植应用,并且外部存储数据的可靠性高。

著录项

  • 公开/公告号CN207440771U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2018-06-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖南斯北图科技有限公司;

    申请/专利号CN201721382626.9

  • 发明设计人 杨艳;

    申请日2017-10-25

  • 分类号

  • 代理机构北京律谱知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人黄云铎

  • 地址 410006 湖南省长沙市开福区三一大道口华府一航线3313室

  • 入库时间 2022-08-22 05:11:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-06-01

    授权

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