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一种基于CMOS的X光数字图像传感器

摘要

本实用新型公开了一种基于CMOS的X光数字图像传感器,包括掺杂碘化铊的碘化铯闪烁体晶体薄膜和光学反射薄膜;掺杂碘化铊的碘化铯闪烁体晶体薄膜直接蒸镀于CMOS图像传感器芯片的感光面上,光学反射膜蒸镀于闪烁体晶体膜上。本实用新型通过在CMOS芯片的感光面上直接蒸镀微量掺杂碘化铊的碘化铯闪烁体薄膜,可以实现碘化铯闪烁体薄膜与CMOS感光面的紧密的光学耦合,提高了X光图像传感器的光电转换效率和图像光学分辨率,并且,光学耦合效率的一致性、均匀性都超过传统方式。此外,由于对图像传感器模组整体进行了纳米级防护镀膜,从而大大提高了对碘化铯闪烁体晶体薄膜的防水或防湿气保护性能;实现在恶略环境下正常工作的目标。

著录项

  • 公开/公告号CN207367979U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2018-05-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安瀚维光电科技有限公司;

    申请/专利号CN201721303859.5

  • 发明设计人 段明浩;

    申请日2017-10-11

  • 分类号

  • 代理机构西安恒泰知识产权代理事务所;

  • 代理人李郑建

  • 地址 710119 陕西省西安市上林苑一路15号

  • 入库时间 2022-08-22 04:59:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-05-15

    授权

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