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公开/公告号CN206967172U
专利类型实用新型
公开/公告日2018-02-06
原文格式PDF
申请/专利权人 中国人民解放军理工大学;
申请/专利号CN201720417642.0
发明设计人 沈新民;涂群章;何晓晖;李治中;唐建;张晓南;王新晴;殷勤;王东;白攀峰;
申请日2017-04-20
分类号
代理机构苏州翔远专利代理事务所(普通合伙);
代理人王华
地址 210000 江苏省南京市秦淮区海福巷1号
入库时间 2022-08-22 03:53:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-02-06
授权
机译: 一种用于在手和脚上抛光和抛光指纹的系统,包括用于皮肤护理的条带,该条带包括一层硅胶涂层和磨料颗粒;用于抛光一只手或一只手。脚
机译: 一种通过调节的抛光垫位置的传感器信号来操作化学机械抛光系统的方法
机译: 一种使用化学机械抛光和化学机械抛光系统制造集成电路的方法
机译:两步法和四步法复合抛光/抛光盘系统的比较:评估一种新的两步法复合抛光盘系统。
机译:水蒸气等离子体氧化与二氧化铈浆液抛光精制反应烧结碳化硅的机理分析
机译:水蒸气等离子体氧化和4H-SiC(0001)热氧化澄清等离子体辅助抛光中原子尺度展平机理的实验研究
机译:4H-SiC(0001)水蒸气等离子体氧化和热氧化的实验研究,以澄清等离子辅助抛光中原子尺度扁平机制的阐明
机译:Lipschitz气缸弹性弹性抛光性系统的层电位和边值问题和嘴唇尖柱方程的非营养线性化系统
机译:一种体外研究可以使用两种抛光系统比较玻璃和席位抛光牙科整体氧化锆的表面粗糙度
机译:等离子体辅助抛光中等离子体氧化和磨料抛光过程的优化,用于4H-SIC的高效平面化
机译:滚筒抛光 - 一种降低焊缝诱导残余应力的冷加工工具