机译:等离子体辅助抛光中等离子体氧化和磨料抛光过程的优化,用于4H-SIC的高效平面化
机译:等离子辅助抛光中等离子氧化和磨料抛光工艺的优化,可实现4H-SiC的高效平面化
机译:热氧化和磨料抛光相结合的4H-SiC(0001)原子级平面化
机译:热氧化和磨料抛光相结合的4H-SiC(0001)原子级平面化
机译:研究4H-SiC(0001)的氧化过程以研究等离子体辅助抛光中的原子展平机理
机译:在化学机械平面化过程中优化抛光运动学和消耗品。
机译:表面改性和磨料抛光之间的竞争:控制4H-SiC表面原子结构的方法(0001)
机译:化学机械平面化过程中抛光运动学和耗材的优化
机译:4H-siC的化学机械抛光优化