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一种DFN2020‑3高密度框架

摘要

本实用新型涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种DFN2020‑3高密度框架,包括矩形片状结构的框架,在框架上设有多个与DFN2020‑3封装结构相适应的芯片安装部,所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚安装槽,在每个芯片安装部内设有两个引脚安装槽,还设有将两个引脚安装槽连接的引脚槽连接板,所述引脚槽延伸并连接至芯片安装部之间设置的加强连筋上,所述芯片安置区周围设有芯片区支撑连筋,所述芯片区支撑连筋与芯片安装部之间设置的加强连筋相连。该框架通过设置引脚槽连接板将两个引脚安装槽连接,增加了框架的整体强度,使芯片焊接牢固、引线变形量小,产品质量可靠。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-14

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L23/495 授权公告日:20180105 终止日期:20180623 申请日:20170623

    专利权的终止

  • 2018-01-05

    授权

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