一种DFN2020‑6单芯片高密度框架

摘要

本实用新型涉及半导体制造技术，具体涉及一种DFN2020‑6单芯片高密度框架，包括板状结构的矩形框架，在框架上设多个与DFN2020‑6封装结构相适应的芯片安装部，所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚槽，所述芯片安装部为矩形结构，所述引脚槽包括源极引脚槽和栅极引脚槽，所述源极引脚槽和栅极引脚槽所占框架面积比大于4:1，且源极引脚槽和栅极引脚槽全部设置于芯片安装部的一个方位上。该框架将引线槽分成源极引脚槽和栅极引脚槽，分区布置引线，减少引脚槽设置，更将源极引脚槽和栅极引脚槽全部设置在芯片安装部的一个方位上，减小相邻芯片安装部之间的距离，提高材料利用率、减少生产成本。