基于Si衬底AlGaN/GaN异质结基的增强型HEMT器件

摘要

本实用新型提供了基于Si衬底AlGaN/GaN异质结基的增强型HEMT器件。该器件包括：Si衬底（101）、AlN成核层（102）、AlGaN过渡层（103‑105）、AlGaN缓冲层（106）、低温AlN插入层（107）、AlGaN主缓冲层（108）、AlGaN/GaN超晶格层（109）、GaN沟道层（110）、AlGaN势垒功能层（111），顶端两侧是源电极（112）和漏电极（113）、顶端中间是栅电极（116），中间AlGaN势垒功能层（111）被刻穿形成凹槽，凹槽的底部与GaN沟道层（110）相接触，凹槽底部淀积有钝化保护层（114）和栅介质层（115），介质层上面是栅电极（116）。采用实用新型制备的器件具有高阈值电压、高击穿电压、高电流密度、以及优良的夹断特性，而且制造工艺简单，重复性好的特点，适用于高压大功率电子器件等应用。