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公开/公告号CN206685377U
专利类型实用新型
公开/公告日2017-11-28
原文格式PDF
申请/专利权人 成都先进功率半导体股份有限公司;
申请/专利号CN201720510272.5
发明设计人 罗天秀;樊增勇;崔金忠;李东;许兵;李宁;李超;
申请日2017-05-10
分类号
代理机构四川力久律师事务所;
代理人王芸
地址 611731 四川省成都市高新西区科新路8-88号
入库时间 2022-08-22 03:16:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-23
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L23/495 授权公告日:20171128 终止日期:20180510 申请日:20170510
专利权的终止
2017-11-28
授权
机译: 一种在内部引线端具有芯片键合台阶部分的引线叠芯片式引线框架和一种半导体芯片封装
机译: 一种无垫引线框架,其具有与芯片结合部分和半导体芯片封装整体形成的拉杆
机译: 一种带有超高密度接触垫的芯片-载体接地方法。
机译:超高密度堆叠阵列:一种用于构成没有芯片块的高通量组织微阵列的方便方法
机译:一种高密度SNP芯片,用于基因分型大山雀(Parus Major)群体及其在研究探索行为遗传建筑的应用
机译:不同基因型木薯在干旱胁迫下使用高密度寡核苷酸芯片进行转录组分析:一种重要的热带作物
机译:一种新的半导体封装设计流程和平台,适用于高密度扇出芯片
机译:在太赫兹频段中提供了一种可扩展且节能的石墨烯基互连框架,包括芯片内和芯片间无线通信
机译:在不同基因型木薯干旱胁迫下使用高密度寡核苷酸芯片进行转录组分析:一种重要的热带作物
机译:补充高密度SNP芯片以覆盖疾病相关基因:成瘾是一种典范
机译:在Fermilab开发高密度像素多芯片模块