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一种DFN2020‑6双芯片高密度框架

摘要

本实用新型涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种DFN2020‑6双芯片高密度框架,包括板状结构的矩形框架,在框架上设多个与DFN2020‑6封装结构相适应的芯片安装部,在每个芯片安装部上设置有2个芯片安置区,所述芯片安装部为矩形,每个芯片安装部设有6个引脚槽,3个引脚槽为一组对称布置于芯片安置区的两侧,并延伸至芯片安装部边缘;其中一个芯片安置区的引脚线焊接于同一侧的引脚槽内,另一芯片安置区的引脚线全部焊接于另一侧的引脚槽内。该框架的芯片安装部引脚布置合理、无干扰,无需在芯片安装部周围多方向布置引脚,减小相邻芯片安装部之间的距离,达到提高框架基体材料的利用率、减少生产成本。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-23

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L23/495 授权公告日:20171128 终止日期:20180510 申请日:20170510

    专利权的终止

  • 2017-11-28

    授权

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