法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-12-11
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H02J7/35 授权公告日:20170815 终止日期:20171220 申请日:20161220
专利权的终止
2017-08-15
授权
授权
机译: 制备基于聚硅氧烷的化合物的方法,由此制备的基于聚硅氧烷的化合物,用于该方法的加氢催化剂,一种使用基于聚硅氧烷的化合物制造非晶硅薄膜的方法
机译: Dispositivo光伏薄膜基于非晶硅。
机译: 一种具有基于碳化硅的非晶硅薄膜晶体管的非易失性存储器堆叠的制造方法