首页> 中国专利> 同位素地质学专用TOF‑SIMS高压脉冲发生器

同位素地质学专用TOF‑SIMS高压脉冲发生器

摘要

本实用新型涉及一种同位素地质学专用TOF‑SIMS高压脉冲发生器,是由直流电源经负载与高压衰减探头示波器连接,负载串接三个SICMOSFET,SICMOSFETⅠ分别与TVS动态均压电路、R1~R2静态均压电路、动态反馈均压电阻和动态功耗米勒电容CgⅠ连接,SICMOSFETⅡ分别与TVS动态均压电路、R4~R5静态均压电路、动态反馈均压电阻和动态功耗米勒电容CgⅡ连接,SICMOSFETⅢ分别与TVS动态均压电路、R7~R8静态均压电路、动态反馈均压电阻和动态功耗米勒电容CgⅢ连接构成。本实用新型与现有的分高压脉冲发生器相比,具有无噪声,无电磁干扰,结构简单,体积小,重量轻,安装方便,成本低廉。可在电场杀菌技术、水处理技术和高压绝缘技术等领域广泛应用。

著录项

  • 公开/公告号CN206281818U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2017-06-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 吉林大学;

    申请/专利号CN201620589017.X

  • 发明设计人 高岩;刘卫平;邱春玲;

    申请日2016-06-16

  • 分类号

  • 代理机构长春吉大专利代理有限责任公司;

  • 代理人王立文

  • 地址 130012 吉林省长春市前进大街2699号

  • 入库时间 2022-08-22 02:39:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-04

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N27/64 授权公告日:20170627 终止日期:20180616 申请日:20160616

    专利权的终止

  • 2017-06-27

    授权

    授权

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号