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公开/公告号CN205803594U
专利类型实用新型
公开/公告日2016-12-14
原文格式PDF
申请/专利权人 扬州中科半导体照明有限公司;
申请/专利号CN201620529414.8
发明设计人 陈思远;孙一军;王辉;王明军;肖志;王国宏;
申请日2016-06-03
分类号
代理机构扬州市锦江专利事务所;
代理人江平
地址 225009 江苏省扬州市开发区临江路186号
入库时间 2022-08-22 01:57:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-12-14
授权
机译: 在金属有机化学气相沉积中具有改善的均匀性的H膜的制造方法
机译: 制造HA膜的金属有机化学气相沉积方法,以改善HA膜的均匀性和可再现性
机译: 具有改善的成分均匀性的II-VI族半导体材料的金属有机化学气相沉积
机译:通过金属 - 有机化学气相沉积(MOCVD)生长的拓扑绝缘体Bi2-Delta Sn Delta Te3外延薄膜抑制散装电导率和大相松弛长度(MOCVD)
机译:结直肠酸是一种大规模生产的GaN-MOCVD装置,批量生产型GaN-MOCVD装置,是名古屋技术研究所的大型世界“氮化物半导体企业中心”
机译:金属有机物在6H–SiC化学气相沉积中的一种新掺杂方法
机译:纳米焊接碳纳米管与金属通过局部化学气相沉积,可改善装置性能
机译:通过大气压金属有机化学气相沉积(AP-MOCVD)开发用于氧化锌薄膜生长的新型单源前驱体,用于微电子器件。
机译:金属有机化学气相沉积(MOCVD)异质外延Pr0.7Ca0.3MnO3薄膜的合成:工艺条件对结构/形态和功能特性的影响
机译:在新型远程等离子MOCVD装置中InP的生长:一种改善工艺和材料性能的方法
机译:新型有机金属源在金属有机化学气相沉积(mOCVD)中的应用