法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-02-08
著录事项变更 IPC(主分类):H01L23/04 变更前: 变更后: 申请日:20160427
著录事项变更
2017-02-08
专利权的转移 IPC(主分类):H01L23/04 登记生效日:20170113 变更前: 变更后: 申请日:20160427
专利申请权、专利权的转移
2016-11-23
授权
授权
机译: 具有改善操作性能的多发射极型双极结型晶体管,一种双极CMOS DMOS器件,一种制造多发射极型双极结型晶体管的方法以及一种制造双极CMOS DMOS的方法
机译: 一种制备MOSFET的方法-沟槽栅型MOS型场效应晶体管
机译: 一种单片半导体器件,包含CMOS,低瞬态和dmoscomplementari结型双极结型晶体管。