公开/公告号CN205488012U
专利类型实用新型
公开/公告日2016-08-17
原文格式PDF
申请/专利权人 东莞市长淞电子科技有限公司;
申请/专利号CN201620134097.X
申请日2016-02-23
分类号
代理机构深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙);
代理人朱晓光
地址 523000 广东省东莞市石龙镇滨江西路华南花园三楼石龙现代信息服务园A07
入库时间 2022-08-22 01:36:37
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-02-11
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01H85/143 授权公告日:20160817 终止日期:20190223 申请日:20160223
专利权的终止
2016-08-17
授权
授权
机译: 半导体器件的熔断及其制造方法,能够通过激光切割过程中的熔断残余防止熔断和相邻熔断之间的连接
机译: 多晶硅熔断器,具有多晶硅熔断器的半导体器件以及切断多晶硅熔断器的方法
机译: 诸如熔断链路半导体存储设备之类的半导体器件具有熔断电路,其熔断电路与具有受控阻抗路径的评估晶体管串联。