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【2h】

The fusing mechanism of NiCr resistors in programmable read-only memory devices.

机译：可编程只读存储器件中NiCr电阻的熔断机制。

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Thesis. 1975. M.S.--Massachusetts Institute of Technology. Dept. of Materials Science and Engineering.

机译：论文。 1975年，美国麻省理工学院。材料科学与工程系。

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作者
Kenney George Brian;
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年度 1975
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