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一种直接测量MOSFET导通后的漏源电压进行短路保护的电路

摘要

本实用新型属于电路保护领域,具体涉及一种直接测量MOSFET导通后的漏源电压进行短路保护的电路,包括微控制器MCU、与门、驱动电路、MOSFET、差动放大电路、滤波电路、比较器和单稳电路;其中,微控制器MCU通过与门连接驱动电路;MOSFET的漏极与源极连接差动放大器;差动放大器通过滤波电路连接比较器;比较器与单稳电路连接;单稳电路分别连接与门和微控制器MCU。本实用新型中单稳触发器是快速关闭MOSFET驱动,给微控制器MCU足够的响应时间关闭MOSFET。当微控制器MCU响应后,由微控制器MCU接管控制信号,稳定关闭MOSFET驱动输出,达成稳定、可靠的关闭MOSFET,保护功率电路。

著录项

  • 公开/公告号CN205453655U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2016-08-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安图安电机驱动系统有限公司;

    申请/专利号CN201521062410.5

  • 发明设计人 王泊洋;

    申请日2015-12-20

  • 分类号

  • 代理机构西安智萃知识产权代理有限公司;

  • 代理人李炳辉

  • 地址 710000 陕西省西安市高新区高新六路立人科技园B座5层10501号戭

  • 入库时间 2022-08-22 01:34:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-10

    授权

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