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公开/公告号CN205335277U
专利类型实用新型
公开/公告日2016-06-22
原文格式PDF
申请/专利权人 重庆鹰谷光电股份有限公司;
申请/专利号CN201521038788.1
发明设计人 朱海华;卜晖;熊谊棱;范宗孝;骆菲;
申请日2015-12-15
分类号
代理机构重庆辉腾律师事务所;
代理人侯懋琪
地址 400060 重庆市经开区丹龙路7号E幢
入库时间 2022-08-22 01:27:44
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-06
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L31/09 授权公告日:20160622 终止日期:20181215 申请日:20151215
专利权的终止
2016-06-22
授权
机译: 读出包括光电探测器尖端/芯片和光电探测器尖端/芯片的激光显微镜和光电探测器尖端/芯片的方法
机译: 硅锗光电探测器和高速晶体管的单芯片结构
机译: 用于光电探测器滤光片的透明树脂组合物,光电探测器及其生产方法
机译:硅兼容光电探测器:单片集成光电传感器与芯片技术的趋势
机译:通过中型生长在硅上实现无裂纹的GaAs外延:应用于基于硅的波长选择光电探测器通过中型生长在硅上实现无裂纹的GaAs外延:在基于Si的波长选择光电探测器上
机译:皮秒飞行时间分辨率的硅光电倍增管探测器的前端芯片
机译:基于GaAs-Algaas MQW调制器和探测器的倒装芯片键合的光电VLSI开关芯片,具有大于4000光学I / O,以及硅CMOS的探测器
机译:硅金属半导体金属光电探测器:离子注入高速近红外光电二极管和位置敏感型光电探测器。
机译:在变化的照明和偏置条件下功能性TiO2嵌入式硅光电探测器的数据
机译:绝缘体上硅上的光学芯片上锗中的导波光电探测器
机译:用于HERsCHEL光电探测器阵列相机的低温滤光轮的研制光谱仪(paCs)。