超薄IGBT芯片及利用该芯片封装的功率模块

摘要

本实用新型公开了一种超薄IGBT芯片及利用该芯片封装的功率模块，所述超薄IGBT芯片包括沟槽，在沟槽内设有多晶硅，在沟槽上设有用于密封多晶硅、具有压缩型表面张力的TEOS层，所述TEOS层上层叠有张力型表面张力层。本实用新型的结构简单、成本低，保证晶圆的形变最小或者不发生形变的同时提高晶圆的利用率。本实用新型适用于任意超薄IGBT芯片。