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一种前后级MOSFET的G级偏置电压自举的驱动电路

摘要

本实用新型公开了一种前后级MOSFET的G级偏置电压自举的驱动电路,包括与射频输出端相连的前级驱动电路和后级驱动电路;前级驱动电路通过第一电容分压电路与射频输出端相连,第一电容分压电路通过第一整流电路、稳压电路、减压电路与驱动前级相连;后级驱动电路通过第二电容分压电路与射频输出端相连,第二电容分压电路通过第二整流电路、第二滤波电路和电压调节电路与驱动后级相连;前级驱动电路和后级驱动电路连接形成闭合电路。本实用新型省掉了从外面引进的一路固定偏置电压,转而从自身的射频输出中,取射频信号,经过处理,变成前后级MOSFET的G级偏置电压,减少了一组的电源模块,降低了成本,并且使整机的内部布置得到了简化。

著录项

  • 公开/公告号CN205105191U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2016-03-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京北广科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201520956285.6

  • 发明设计人 刘学文;李光健;薛年喜;胡进文;

    申请日2015-11-26

  • 分类号H03K19/0944(20060101);

  • 代理机构北京市科名专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人陈朝阳

  • 地址 100000 北京市顺义区天竺空港工业区A区天柱路26号

  • 入库时间 2022-08-22 01:14:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-08

    专利权的转移 IPC(主分类):H03K19/0944 登记生效日:20200421 变更前: 变更后: 申请日:20151126

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-03-23

    授权

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