公开/公告号CN204934593U
专利类型实用新型
公开/公告日2016-01-06
原文格式PDF
申请/专利权人 中卫市茂烨冶金有限责任公司;
申请/专利号CN201520558220.6
发明设计人 黄发茂;
申请日2015-07-29
分类号
代理机构北京众元弘策知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人孙东风
地址 755000 宁夏回族自治区中卫市沙坡头区镇罗镇金鑫园工业园区
入库时间 2022-08-22 01:04:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-01-06
授权
授权
机译: 一种用于制造具有iii-v-层结构的硅半导体晶片的方法,该结构用于将硅成分与基于高电子迁移率晶体管(半金属)的iii-v-层结构族和相应的半导体层布置集成
机译: 一种用于(钢筋混凝土)浇注结构的残余桩的系统
机译: 一种用于(钢筋混凝土)浇注结构的残余桩的系统