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公开/公告号CN204855435U
专利类型实用新型
公开/公告日2015-12-09
原文格式PDF
申请/专利权人 华北电力大学;
申请/专利号CN201520620749.6
发明设计人 李欣泽;葛良军;莫赫超;刘凤鸣;李听听;姚志鹏;陆道纲;周世梁;
申请日2015-08-17
分类号
代理机构北京众合诚成知识产权代理有限公司;
代理人黄家俊
地址 102206 北京市昌平区朱辛庄北农路2号
入库时间 2022-08-22 00:59:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-12-09
授权
机译: 基于矩阵,阵列或单三角光学腔的半导体激光器,具有空间分布的电流注入
机译: 基于二维检测器的矩阵基于检测器的检测装置和方法
机译:使用半导体激光器的划痕检测装置的在线利用:激光划痕检查装置,用于处理孔表面检查
机译:光敏电阻矩阵在室内光强分布研究中的应用
机译:基于超声波束形成技术的可视化泄漏检测装置和电晕放电检测装置的开发
机译:使用所有半导体激光器的光热偏转检测装置的设计
机译:Hele-Shaw流中的气泡破裂:可积性和矩阵模型。
机译:基于高PbI2掺杂钙钛矿薄膜的高性能光敏电阻
机译:基于延迟反馈半导体激光器的储层计算系统的效果对电流调制的信息注入的基于延迟反馈半导体激光器的性能
机译:基于化学沉积pbs薄膜的场效应控制光敏电阻。