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一种无运放的低输出电压高电源抑制比带隙基准源电路

摘要

本实用新型提出一种无运放的低输出电压高电源抑制比带隙基准源电路,包括基准电流产生电路和输出电路,其中,所述基准电流产生电路的三个分支分别包括串联的两个PMOS管;所述电路还包括偏置电路,所述偏置电路包括串联的第一偏置PMOS管、第二偏置PMOS管和偏置NMOS管,两个偏置PMOS管与基准电流产生电路中的PMOS管并联;所述输出电路包括串联的第一电阻和第二电阻、串联的第零三极管和第一三极管。本实用新型增加了偏置电路,保证基准电流产生电路中NMOS管漏极电压保持一致,不会随电源电压的变化使得电路的基准电流变化,提高了输出电压对于电源变化的抑制能力。

著录项

  • 公开/公告号CN204808099U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2015-11-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京兆易创新科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201520489135.9

  • 发明设计人 邓龙利;刘铭;

    申请日2015-07-08

  • 分类号

  • 代理机构北京品源专利代理有限公司;

  • 代理人胡彬

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层

  • 入库时间 2022-08-22 00:56:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-11-25

    授权

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